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Référence fabricant | FES16JT-5410HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FES16JT-5410HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
FES16JT-5410HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 145pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES16JT-5410HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FES16JT-5410HE3/45-FT |
NS8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8MT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL10L25-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETU12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU0805-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel