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Référence fabricant | VS-15ETU12-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-15ETU12-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-15ETU12-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.78V @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 167ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 80µA @ 1.2kV |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-15ETU12-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-15ETU12-M3-FT |
MCL4154-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL4154-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL4448-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS385-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS385-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
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5SGXEA7K2F35I2LN
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A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
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