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Référence fabricant | BAS385-TR |
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Numéro de pièce future | FT-BAS385-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS385-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.3µA @ 25V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | MicroMELF |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS385-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS385-TR-FT |
RMPG06J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06G-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06GHE3_A/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06B-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06BHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06BHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06D-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06D-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel