maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 10ETF02
Référence fabricant | 10ETF02 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-10ETF02 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
10ETF02 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 145ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETF02 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 10ETF02-FT |
MBR7H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8ATHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel