maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-12EWH06FNTRL-M3
Référence fabricant | VS-12EWH06FNTRL-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-12EWH06FNTRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-12EWH06FNTRL-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.5V @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12EWH06FNTRL-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-12EWH06FNTRL-M3-FT |
IDB06S60C
Infineon Technologies
IDB09E60ATMA1
Infineon Technologies
IDB10S60C
Infineon Technologies
IDB10S60CATMA2
Infineon Technologies
IDB12E120ATMA1
Infineon Technologies
IDB15E60
Infineon Technologies
IDB18E120ATMA1
Infineon Technologies
IDB23E60ATMA1
Infineon Technologies
IDB45E60ATMA1
Infineon Technologies
IDK02G65C5XTMA1
Infineon Technologies
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel