maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / IDB12E120ATMA1
Référence fabricant | IDB12E120ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IDB12E120ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IDB12E120ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 28A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.15V @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDB12E120ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDB12E120ATMA1-FT |
MMBD914LT3HTMA1
Infineon Technologies
MMBD914_D87Z
ON Semiconductor
PMEG2010AEK,115
NXP USA Inc.
RB400D-TP
Micro Commercial Co
RB411D-TP
Micro Commercial Co
RB420D-TP
Micro Commercial Co
RB421D-TP
Micro Commercial Co
RB491D-TP
Micro Commercial Co
CDBFN160-HF
Comchip Technology
CDBV1100-HF
Comchip Technology
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel