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Infineon Technologies IDB09E60ATMA1

Numéro de pièce MFG
IDB09E60ATMA1
quantité disponible
30810 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IDB09E60ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IDB09E60ATMA1
Numéro de pièce future FT-IDB09E60ATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IDB09E60ATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 19.3A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 2V @ 9A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 75ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 50µA @ 600V
Capacité @ Vr, F -
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IDB09E60ATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IDB09E60ATMA1-FT

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