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Référence fabricant | VS-10ETS12STRR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-10ETS12STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-10ETS12STRR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETS12STRR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-10ETS12STRR-M3-FT |
VBT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5200-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5200-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT760-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT760-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel