maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VBT760-E3/8W
Référence fabricant | VBT760-E3/8W |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VBT760-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBT760-E3/8W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 7.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 7.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 700µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT760-E3/8W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBT760-E3/8W-FT |
NSB8JTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8KTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8KTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8MTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8MTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L25HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L25HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel