maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / VMK165-007T
Référence fabricant | VMK165-007T |
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Numéro de pièce future | FT-VMK165-007T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VMK165-007T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 70V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 165A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 82.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 480nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 25V |
Puissance - Max | 390W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-240AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-240AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VMK165-007T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VMK165-007T-FT |
IRF6150
Infineon Technologies
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5SGXMA7K3F40C2N
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5AGXMA1D4F27C5N
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XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5F23C7N
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10AX066N4F40I3LG
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