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Infineon Technologies IRF6702M2DTR1PBF

Numéro de pièce MFG
IRF6702M2DTR1PBF
quantité disponible
42600 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRF6702M2DTR1PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRF6702M2DTR1PBF
Numéro de pièce future FT-IRF6702M2DTR1PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF6702M2DTR1PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V
Puissance - Max 2.7W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse DirectFET™ Isometric MA
Package d'appareils du fournisseur DIRECTFET™ MA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6702M2DTR1PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF6702M2DTR1PBF-FT

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