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Référence fabricant | VLS201610CX-2R2M-1 |
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Numéro de pièce future | FT-VLS201610CX-2R2M-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS-CX-1 |
VLS201610CX-2R2M-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.53A |
Courant - Saturation | 1.31A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 163 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | 2016 |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS201610CX-2R2M-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS201610CX-2R2M-1-FT |
VLS252010T-4R7M
TDK Corporation
VLS201610ET-100M
TDK Corporation
VLS252010ET-1R0N
TDK Corporation
VLS201610ET-4R7M
TDK Corporation
VLS252012ET-1R5N
TDK Corporation
VLS252010ET-1R5N
TDK Corporation
VLS252012T-2R2M1R3
TDK Corporation
VLS201610ET-R47N-CA
TDK Corporation
VLS201612ET-1R5N
TDK Corporation
VLS201612ET-2R2M
TDK Corporation
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation