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Référence fabricant | VLS201612ET-2R2M |
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Numéro de pièce future | FT-VLS201612ET-2R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS |
VLS201612ET-2R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.05A |
Courant - Saturation | 1.05A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 195 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS201612ET-2R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS201612ET-2R2M-FT |
VLS3015ET-470M
TDK Corporation
VLS3015T-1R0N2R0
TDK Corporation
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VLS3015ET-2R2M
TDK Corporation
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel