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Référence fabricant | VLS201610ET-4R7M |
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Numéro de pièce future | FT-VLS201610ET-4R7M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS |
VLS201610ET-4R7M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 640mA |
Courant - Saturation | 640mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 554 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.037" (0.95mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS201610ET-4R7M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS201610ET-4R7M-FT |
VLS3015ET-1R5N
TDK Corporation
VLS3015ET-4R7M
TDK Corporation
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TDK Corporation
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TDK Corporation
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LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
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MPF300TS-FCG484I
Microsemi Corporation
EP2C50F484C8N
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XC2V2000-5BG575I
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AGL600V5-CSG281
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AGL400V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX090N3F40E2LG
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EP20K400EBC652-1XD
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