maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VI40120C-M3/4W
Référence fabricant | VI40120C-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VI40120C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VI40120C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 120V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VI40120C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VI40120C-M3/4W-FT |
V40100PGW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40170PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V50100PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60170PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60200PGW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60H150PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80100PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80170PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80H150PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
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10AX032E1F27I1HG
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EP20K200EQI208-3
Intel