maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V80H150PW-M3/4W
Référence fabricant | V80H150PW-M3/4W |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-V80H150PW-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
V80H150PW-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 40A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 910mV @ 40A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3P-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3PW |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V80H150PW-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V80H150PW-M3/4W-FT |
CDBT-54A-G
Comchip Technology
CDBT-54C-G
Comchip Technology
CDBT-54S-G
Comchip Technology
CDBT-70C-G
Comchip Technology
CDBT-70S-G
Comchip Technology
CDST-21A-G
Comchip Technology
CDST-21C-G
Comchip Technology
CDST-21S-G
Comchip Technology
CDST-56-G
Comchip Technology
CDST-70-G
Comchip Technology
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel