maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V40100PGW-M3/4W
Référence fabricant | V40100PGW-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-V40100PGW-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
V40100PGW-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3P-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3PW |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V40100PGW-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V40100PGW-M3/4W-FT |
BAT54C-G
Comchip Technology
BAV99-G
Comchip Technology
BAT54A-G
Comchip Technology
CDST-99-HF
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BAW56-G
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CDST-99-G
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ACDST-70-G
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ACDST-99-G
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CDBT-40S-G
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CDBT-54A-G
Comchip Technology
M2GL005S-1VFG256T2
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A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
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5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel