maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAW56-G
Référence fabricant | BAW56-G |
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Numéro de pièce future | FT-BAW56-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAW56-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 215mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAW56-G-FT |
SDM6CC-7
Diodes Incorporated
BAT54CDW-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HADW-7-F
Diodes Incorporated
BAS70JW-7-F
Diodes Incorporated
BAV70HDW-7
Diodes Incorporated
BAS70DW-06-7-F
Diodes Incorporated
BAV99DWQ-7-F
Diodes Incorporated
BAV199DW-7-F
Diodes Incorporated
BAS16TW-7-F
Diodes Incorporated
BAV756DW-7-F
Diodes Incorporated
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation