maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MMBD4448HADW-7-F
Référence fabricant | MMBD4448HADW-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD4448HADW-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD4448HADW-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HADW-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD4448HADW-7-F-FT |
HER1603PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1604PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1605PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1606PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1607PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1608PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER3005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20100PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel