maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR20150PT C0G
Référence fabricant | MBR20150PT C0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR20150PT C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR20150PT C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.02V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (TO-3P) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20150PT C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR20150PT C0G-FT |
HER3004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER3006PT C0G
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MBR30100PTHC0G
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MBR3090PT C0G
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XC6SLX45-3FGG676C
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A42MX36-FPQ240
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A1425A-VQ100I
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EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
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