maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR20100PTHC0G
Référence fabricant | MBR20100PTHC0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR20100PTHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBR20100PTHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (TO-3P) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20100PTHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR20100PTHC0G-FT |
HER3003PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER3004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER3006PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30100PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30200PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3045PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3050PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3050PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3060PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel