maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV99-G
Référence fabricant | BAV99-G |
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Numéro de pièce future | FT-BAV99-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV99-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 215mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV99-G-FT |
SDT40H120CTFP
Diodes Incorporated
BAV99BRLP-7
Diodes Incorporated
MMBD4148PLM-7
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SDM6CC-7
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BAT54CDW-7-F
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Diodes Incorporated
LCMXO1200C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
10AX032H3F34I2SG
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
Intel
10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel