maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VBT3045BP-M3/8W
Référence fabricant | VBT3045BP-M3/8W |
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Numéro de pièce future | FT-VBT3045BP-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBT3045BP-M3/8W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 45V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT3045BP-M3/8W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBT3045BP-M3/8W-FT |
MBRB760HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel