maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NSB8BTHE3_A/I
Référence fabricant | NSB8BTHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-NSB8BTHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NSB8BTHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8BTHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSB8BTHE3_A/I-FT |
BAV20-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAY135-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103B-TAP
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SD103C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAY80-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAY80-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148-TAP
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SD101A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
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Intel
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5CGXFC4F6M11C6N
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XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
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