maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VBO19-08NO7
Référence fabricant | VBO19-08NO7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VBO19-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBO19-08NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 21A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.12V @ 7A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Slim-PAC |
Package d'appareils du fournisseur | Slim-PAC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO19-08NO7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBO19-08NO7-FT |
MB05M-G
Comchip Technology
MB10M-G
Comchip Technology
MB110M-BP
Micro Commercial Co
MB12M-BP
Micro Commercial Co
MB14M-BP
Micro Commercial Co
MB16M-BP
Micro Commercial Co
MB18M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-G
Comchip Technology
MB2M-BP
Micro Commercial Co
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel