Référence fabricant | MB1M-G |
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Numéro de pièce future | FT-MB1M-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB1M-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 800mA |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.200", 5.08mm) |
Package d'appareils du fournisseur | MBM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB1M-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB1M-G-FT |
KBP3005-BP
Micro Commercial Co
KBP301-BP
Micro Commercial Co
KBP301G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP301G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302-BP
Micro Commercial Co
KBP302G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP303G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP303G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP304-BP
Micro Commercial Co
M1A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F35C3
Intel
XC7VX690T-2FF1158I
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
A3P060-FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23C7N
Intel