maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / MB18M-BP
Référence fabricant | MB18M-BP |
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Numéro de pièce future | FT-MB18M-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB18M-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Schottky |
Tension - Inverse de crête (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.200", 5.08mm) |
Package d'appareils du fournisseur | MB-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB18M-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB18M-BP-FT |
KBP207G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP207G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP3005-BP
Micro Commercial Co
KBP301-BP
Micro Commercial Co
KBP301G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP301G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302-BP
Micro Commercial Co
KBP302G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP303G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
Intel
5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel