maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V2FM12-M3/H
Référence fabricant | V2FM12-M3/H |
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Numéro de pièce future | FT-V2FM12-M3/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP®, TMBS® |
V2FM12-M3/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 960mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 65µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V2FM12-M3/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V2FM12-M3/H-FT |
SE10DBHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DL45BP-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16EDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM120-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM120HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35DM120-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel