maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SE10DBHM3/I
Référence fabricant | SE10DBHM3/I |
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Numéro de pièce future | FT-SE10DBHM3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
SE10DBHM3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 3000ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 15µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 67pF @4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AC (SMPD) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE10DBHM3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SE10DBHM3/I-FT |
BAV20W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel