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Référence fabricant | BAV20W-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV20W-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAV20W-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV20W-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV20W-HE3-18-FT |
V10150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel