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Référence fabricant | V20120SGHM3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-V20120SGHM3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
V20120SGHM3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.33V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20120SGHM3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V20120SGHM3/4W-FT |
VS-80APS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80APS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80APS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65PQ015-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS40L15CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel