maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V35DM120-M3/I
Référence fabricant | V35DM120-M3/I |
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Numéro de pièce future | FT-V35DM120-M3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V35DM120-M3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6.3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 35A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.2mA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AC (SMPD) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V35DM120-M3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V35DM120-M3/I-FT |
GSD2004W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AW-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation