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Référence fabricant | US1G-E3/5AT |
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Numéro de pièce future | FT-US1G-E3/5AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
US1G-E3/5AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1G-E3/5AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | US1G-E3/5AT-FT |
VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3N50-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
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XA3SD1800A-4FGG676Q
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XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
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A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
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XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
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10AX115U4F45I3SG
Intel