maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR31A6G0L
Référence fabricant | UNR31A6G0L |
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Numéro de pièce future | FT-UNR31A6G0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR31A6G0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 80MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | SSSMini3-F1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR31A6G0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR31A6G0L-FT |
UNR221000L
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UNR221100L
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XC6SLX4-L1TQG144I
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XC2S30-5VQ100I
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XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-3
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5AGZME1E3H29I4N
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XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020I7N
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