maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR221600L
Référence fabricant | UNR221600L |
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Numéro de pièce future | FT-UNR221600L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR221600L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR221600L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR221600L-FT |
FJV4106RMTF
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FJV4107RMTF
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MMUN2111LT1
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XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
EP3SE260H780C4LN
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10M50DAF672C6G
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XC5VLX110-1FF1760I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FF484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144I
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LFX125EB-03FN256I
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LFE2-12SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2LN
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