maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR221000L
Référence fabricant | UNR221000L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-UNR221000L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR221000L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR221000L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR221000L-FT |
FJV3115RMTF
ON Semiconductor
FJV4101RMTF
ON Semiconductor
FJV4102RMTF
ON Semiconductor
FJV4103RMTF
ON Semiconductor
FJV4104RMTF
ON Semiconductor
FJV4105RMTF
ON Semiconductor
FJV4106RMTF
ON Semiconductor
FJV4107RMTF
ON Semiconductor
FJV4108RMTF
ON Semiconductor
FJV4109RMTF
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FG676C
Xilinx Inc.
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG256I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C9L
Intel
LCMXO2-7000ZE-3FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9E6F31C7N
Intel
EPF10K100EQC240-3N
Intel
EP1K100QC208-2
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel