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Référence fabricant | UGB12HTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-UGB12HTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UGB12HTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 500V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB12HTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UGB12HTHE3/45-FT |
MBRB1635HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1635HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel