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Référence fabricant | MBRB1635HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB1635HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB1635HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 630mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 35V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB1635HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB1635HE3/45-FT |
FESB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel