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Référence fabricant | FESB8DTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FESB8DTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FESB8DTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8DTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FESB8DTHE3/45-FT |
6TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel