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Référence fabricant | MBRB1645HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB1645HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB1645HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 630mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 45V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB1645HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB1645HE3/45-FT |
FESB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division