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Référence fabricant | FESB8GT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FESB8GT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FESB8GT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8GT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FESB8GT-E3/45-FT |
8ETH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation