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Référence fabricant | TSM70N600CH C5G |
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Numéro de pièce future | FT-TSM70N600CH C5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM70N600CH C5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 700V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 743pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-251 (IPAK) |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM70N600CH C5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM70N600CH C5G-FT |
TPH14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1400ANH,L1Q
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TPN2010FNH,L1Q
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TPN30008NH,LQ
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TPN11003NL,LQ
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TPN11006NL,LQ
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XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
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A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
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A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
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EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
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10AX066K1F35E1SG
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