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Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL,LQ
- Numéro de pièce MFG
- TPN11003NL,LQ
- quantité disponible
- 86980 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.18096
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- Date d'expédition
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- fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Brève description
- U-MOSVIII-H MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- TPN11003NL,LQ.pdf
TPN11003NL,LQ Caractéristiques
| Référence fabricant | TPN11003NL,LQ |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-TPN11003NL,LQ |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | U-MOSVIII-H |
| TPN11003NL,LQ Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta), 19W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPN11003NL,LQ Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | TPN11003NL,LQ-FT |
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