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Toshiba Semiconductor and Storage TPN2010FNH,L1Q

Numéro de pièce MFG
TPN2010FNH,L1Q
quantité disponible
83120 Pièces
Prix de référence
USD 0.5096
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TPN2010FNH,L1Q.pdf
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TPN2010FNH,L1Q Caractéristiques

Référence fabricant TPN2010FNH,L1Q
Numéro de pièce future FT-TPN2010FNH,L1Q
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSVIII-H
TPN2010FNH,L1Q Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta), 39W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN2010FNH,L1Q Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPN2010FNH,L1Q-FT

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