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Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N1R4CP ROG

Name: TSM70N1R4CP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM70N1R4CP ROG
Price: 0.373744 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (292 reviews)

Numéro de pièce MFG: TSM70N1R4CP ROG

quantité disponible: 55300 Pièces

Prix de référence: USD 0.373744

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description: - MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TSM70N1R4CP ROG.pdf

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TSM70N1R4CP ROG Caractéristiques

Référence fabricant	TSM70N1R4CP ROG
Numéro de pièce future	FT-TSM70N1R4CP ROG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TSM70N1R4CP ROG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	38W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM70N1R4CP ROG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TSM70N1R4CP ROG-FT

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