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Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CH C5G

Name: TSM1NB60CH C5G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM1NB60CH C5G
Price: 0.64 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (583 reviews)

Numéro de pièce MFG: TSM1NB60CH C5G

quantité disponible: 21850 Pièces

Prix de référence: USD 0.64

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description: - MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TSM1NB60CH C5G.pdf

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TSM1NB60CH C5G Caractéristiques

Référence fabricant	TSM1NB60CH C5G
Numéro de pièce future	FT-TSM1NB60CH C5G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TSM1NB60CH C5G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	138pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	39W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-251 (IPAK)
Paquet / caisse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM1NB60CH C5G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TSM1NB60CH C5G-FT

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