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Référence fabricant | TSM1N45CW RPG |
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Numéro de pièce future | FT-TSM1N45CW RPG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM1N45CW RPG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 450V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 500mA (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.25V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM1N45CW RPG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM1N45CW RPG-FT |
TSM2323CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM320N03CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM2328CX RFG
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TSM2303CX RFG
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TSM650P02CX RFG
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TSM2308CX RFG
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TSM650P03CX RFG
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TSM500P02CX RFG
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TSM2301BCX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel