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TSM650P02CX RFG Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P02CX RFG

Numéro de pièce MFG
TSM650P02CX RFG
quantité disponible
94580 Pièces
Prix de référence
USD 0.077184
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Date d'expédition
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fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
- MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TSM650P02CX RFG.pdf
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TSM650P02CX RFG Caractéristiques

Référence fabricant TSM650P02CX RFG
Numéro de pièce future FT-TSM650P02CX RFG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TSM650P02CX RFG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 515pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-23
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM650P02CX RFG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TSM650P02CX RFG-FT

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