maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TSM650P02CX RFG
Référence fabricant | TSM650P02CX RFG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TSM650P02CX RFG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM650P02CX RFG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.1A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 515pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.56W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM650P02CX RFG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM650P02CX RFG-FT |
TSM6NB60CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM7N65ACI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM8N70CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM160N10CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM8N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM10N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM3N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM3N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM7N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel