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Référence fabricant | TSM126CX RFG |
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Numéro de pièce future | FT-TSM126CX RFG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM126CX RFG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30mA (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 Ohm @ 16mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 8µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.18nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 51.42pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM126CX RFG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM126CX RFG-FT |
TSM160N10CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM8N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM10N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM3N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM3N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM7N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM9N90ECZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM5NC50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel