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Référence fabricant | TSM126CX RFG |
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Numéro de pièce future | FT-TSM126CX RFG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM126CX RFG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30mA (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 Ohm @ 16mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 8µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.18nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 51.42pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM126CX RFG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM126CX RFG-FT |
TSM160N10CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM8N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM10N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM3N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM3N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM7N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM9N90ECZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM5NC50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel