maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TSM9N90ECZ C0G
Référence fabricant | TSM9N90ECZ C0G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TSM9N90ECZ C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM9N90ECZ C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 900V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2470pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 89W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM9N90ECZ C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM9N90ECZ C0G-FT |
IRFD420
Vishay Siliconix
IRFD9014
Vishay Siliconix
IRFD9020
Vishay Siliconix
IRFD9024
Vishay Siliconix
IRFD9110
Vishay Siliconix
IRFD9113
Vishay Siliconix
IRFD9120
Vishay Siliconix
IRFD9210
Vishay Siliconix
IRFD9220
Vishay Siliconix
IRFDC20
Vishay Siliconix
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel